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SIZ918DT-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SIZ918DT-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
渠道:
digikey

库存 :5730

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1+ : 需询价

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 16 A, 28 A

漏源电阻 12 mOhms, 3.7 mOhms

栅极电压 - 10 V, + 10 V

栅源极阈值电压 1 V, 1.2 V

栅极电荷 14 nC, 67.3 nC

耗散功率 29 W, 100 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 10 ns, 10 ns

正向跨导(Min) 47 S, 116 S

上升时间 12 ns, 22 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 20 ns, 40 ns

典型接通延迟时间 10 ns, 15 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SIZ918DT-GE3

单位重量 337.318 mg

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型号:SIZ918DT-T1-GE3

品牌:SILICONIX

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