货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥49.967482 | ¥49.97 |
10 | ¥42.005083 | ¥420.05 |
100 | ¥33.98038 | ¥3398.04 |
500 | ¥30.204782 | ¥15102.39 |
1000 | ¥25.862845 | ¥25862.85 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 1.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 43 nC
耗散功率 12 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns
上升时间 20 ns
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 100.600 mg
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0CSD88599Q5DC
型号:CSD88599Q5DC
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥49.967482 |
10+: | ¥42.005083 |
100+: | ¥33.98038 |
500+: | ¥30.204782 |
1000+: | ¥25.862845 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥49.97