SIZ904DT-T1-GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SIZ904DT-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
- 渠道：
- digikey
库存 ：3000
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥13.838747 | ￥13.84 |
| 10 | ￥12.318955 | ￥123.19 |
| 25 | ￥11.693741 | ￥292.34 |
| 100 | ￥8.770306 | ￥877.03 |
| 250 | ￥8.686778 | ￥2171.69 |
| 500 | ￥7.433878 | ￥3716.94 |
| 1000 | ￥6.055687 | ￥6055.69 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 12 A, 16 A
漏源电阻 24 mOhms, 13.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 1.2 V
栅极电荷 12 nC, 23 nC
耗散功率 20 W, 33 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns
正向跨导（Min） 17 S, 24 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 15 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIZ904DT-GE3
单位重量 337.318 mg
SIZ904DT-T1-GE3 同类别型号
注
SIZ904DT-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SIZ904DT-T1-GE3
数据手册PDF。
SIZ904DT-T1-GE3
型号：SIZ904DT-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：3000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥13.838747 |
| 10+： | ￥12.318955 |
| 25+： | ￥11.693741 |
| 100+： | ￥8.770306 |
| 250+： | ￥8.686778 |
| 500+： | ￥7.433878 |
| 1000+： | ￥6.055687 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥13.84