SI7792DP-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI7792DP-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8
- 渠道：
- 国内现货digikey
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规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI7792DP-T1-GE3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SkyFET®, TrenchFET® Gen III
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
40.6A (Ta), 60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2.1mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
135nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
4.735nF @ 15V
FET 功能
Schottky Diode (Body)
功率耗散（最大值）
6.25W (Ta), 104W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8
SI7792DP-T1-GE3 同类别型号
注
SI7792DP-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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SI7792DP-T1-GE3
型号：SI7792DP-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
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货期：1-2天
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