ALD1106SBL
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥37.828262 | ￥37.83 |
| 10 | ￥33.980214 | ￥339.80 |
| 100 | ￥27.840296 | ￥2784.03 |
| 500 | ￥23.699667 | ￥11849.83 |
| 1000 | ￥19.987671 | ￥19987.67 |
规格参数
关键信息
制造商 Advanced Linear Devices
商标 Advanced Linear Devices
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 4 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 4.8 mA
漏源电阻 350 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 -
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Quad
晶体管类型 4 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 338 mg
其它
发货限制：
ALD1106SBL 同类别型号
注
ALD1106SBL品牌厂家：ALD
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、ALD1106SBL
数据手册PDF。
ALD1106SBL
型号：ALD1106SBL
品牌：ALD
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥37.828262 |
| 10+： | ￥33.980214 |
| 100+： | ￥27.840296 |
| 500+： | ￥23.699667 |
| 1000+： | ￥19.987671 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥37.83