APTGT35H120T3G
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- 制造商编号：
- APTGT35H120T3G
- 制造商：
- MICROSEMI(美高森美)
- 产品类别：
- 晶体管IGBT
- 商品描述：
- IGBT MODULE 1200V 55A 208W SP3
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：100
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 100 | ￥738.92406 | ￥73892.41 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
APTGT35H120T3G
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
IGBT MODULE 1200V 55A 208W SP3
包装
-
系列
-
零件状态
Active
IGBT 类型
Trench Field Stop
配置
Full Bridge Inverter
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
55A
功率 - 最大值
208W
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
2.1V @ 15V, 35A
电流 - 集电极截止（最大值）
250µA
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
2.5nF @ 25V
输入
Standard
NTC 热敏电阻
Yes
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/外壳
SP3
供应商器件封装
SP3
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注
APTGT35H120T3G品牌厂家：MICROSEMI
，所属分类： 晶体管IGBT
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替代型号
、APTGT35H120T3G
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。
APTGT35H120T3G
型号：APTGT35H120T3G
品牌：MICROSEMI
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 100+： | ￥738.92406 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00