SI4925BDY-T1-GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI4925BDY-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥3.698001 | ￥9245.00 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7.1 A
漏源电阻 25 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 50 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4925BDY-GE3
单位重量 750 mg
SI4925BDY-T1-GE3 同类别型号
注
SI4925BDY-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
，可在锐单商城现货采购SI4925BDY-T1-GE3、查询SI4925BDY-T1-GE3代理商；
SI4925BDY-T1-GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SI4925BDY-T1-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SI4925BDY-T1-GE3
替代型号
、SI4925BDY-T1-GE3
数据手册PDF。
SI4925BDY-T1-GE3
型号：SI4925BDY-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥3.698001 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00