SH8KA2GZETB
库存 ：359
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥18.231616 | ￥18.23 |
| 10 | ￥16.323373 | ￥163.23 |
| 100 | ￥12.730529 | ￥1273.05 |
| 500 | ￥10.516726 | ￥5258.36 |
| 1000 | ￥8.302678 | ￥8302.68 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 23 mOhms, 23 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 8 nC
耗散功率 2.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5.7 ns, 5.7 ns
正向跨导（Min） 4.2 S, 4.2 S
上升时间 8.4 ns, 8.4 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns, 11 ns
典型接通延迟时间 7.4 ns, 7.4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SH8KA2
单位重量 83 mg
SH8KA2GZETB 同类别型号
注
SH8KA2GZETB品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SH8KA2GZETB
数据手册PDF。
SH8KA2GZETB
型号：SH8KA2GZETB
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：359 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥18.231616 |
| 10+： | ￥16.323373 |
| 100+： | ￥12.730529 |
| 500+： | ￥10.516726 |
| 1000+： | ￥8.302678 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥18.23