SI7794DP-T1-GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI7794DP-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：38
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 38 | ￥2.092028 | ￥79.50 |
| 50 | ￥2.008328 | ￥100.42 |
| 100 | ￥1.924695 | ￥192.47 |
| 300 | ￥1.840995 | ￥552.30 |
| 500 | ￥1.757295 | ￥878.65 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI7794DP-T1-GE3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SkyFET®, TrenchFET® Gen III
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
28.6A (Ta), 60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
3.4mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
72nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2.52nF @ 15V
FET 功能
Schottky Diode (Body)
功率耗散（最大值）
5W (Ta), 48W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8
SI7794DP-T1-GE3 同类别型号
注
SI7794DP-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SI7794DP-T1-GE3、查询SI7794DP-T1-GE3代理商；
SI7794DP-T1-GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SI7794DP-T1-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SI7794DP-T1-GE3
替代型号
、SI7794DP-T1-GE3
数据手册PDF。
SI7794DP-T1-GE3
型号：SI7794DP-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 38+： | ￥2.092028 |
| 50+： | ￥2.008328 |
| 100+： | ￥1.924695 |
| 300+： | ￥1.840995 |
| 500+： | ￥1.757295 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00