SQJ202EP-T1_GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SQJ202EP-T1_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO
- 渠道：
- digikey
库存 ：18
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥21.676335 | ￥21.68 |
| 10 | ￥19.352858 | ￥193.53 |
| 100 | ￥15.094094 | ￥1509.41 |
| 500 | ￥12.468854 | ￥6234.43 |
| 1000 | ￥9.843888 | ￥9843.89 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 20 A, 60 A
漏源电阻 5.2 mOhms, 2.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 22 nC, 54 nC
耗散功率 27 W, 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.6 ns, 5 ns
正向跨导（Min） 49 S, 91 S
上升时间 3.2 ns, 4.5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns, 28 ns
典型接通延迟时间 8.8 ns, 10.7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
SQJ202EP-T1_GE3 同类别型号
注
SQJ202EP-T1_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SQJ202EP-T1_GE3
数据手册PDF。
SQJ202EP-T1_GE3
型号：SQJ202EP-T1_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：18 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥21.676335 |
| 10+： | ￥19.352858 |
| 100+： | ￥15.094094 |
| 500+： | ￥12.468854 |
| 1000+： | ￥9.843888 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥21.68