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ZXMN3A04DN8TC

DIODES(美台)
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制造商编号:
ZXMN3A04DN8TC
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC
渠道:
国内现货
digikey

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制造商型号

ZXMN3A04DN8TC

制造商

DIODES(美台)

商品描述

MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC

包装

Tape & Reel (TR) Alternate Packaging

系列

-

零件状态

Obsolete

FET 类型

2 N-Channel (Dual)

FET 功能

Logic Level Gate

漏源电压(Vdss)

30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

6.5A

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

20mOhm @ 12.6A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA (Min)

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

36.8nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

1890pF @ 15V

功率 - 最大值

1.81W

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

封装/外壳

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供应商器件封装

8-SO

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型号:ZXMN3A04DN8TC

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