CSD87351ZQ5D
库存 ：2478
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥28.943055 | ￥28.94 |
| 10 | ￥21.290571 | ￥212.91 |
| 25 | ￥19.390331 | ￥484.76 |
| 100 | ￥17.291582 | ￥1729.16 |
| 250 | ￥16.290546 | ￥4072.64 |
| 500 | ￥15.688046 | ￥7844.02 |
| 1000 | ￥15.191771 | ￥15191.77 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 32 A
漏源电阻 -
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V, 750 mV
栅极电荷 7.7 nC, 22 nC
耗散功率 12 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4.2 ns
上升时间 10 ns
外形参数
高度 1.5 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Synchronous Buck MOSFET Driver
单位重量 161.300 mg
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注
CSD87351ZQ5D品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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、CSD87351ZQ5D
数据手册PDF
。
CSD87351ZQ5D
型号：CSD87351ZQ5D
品牌：TI
供货：锐单
库存：2478 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥28.943055 |
| 10+： | ￥21.290571 |
| 25+： | ￥19.390331 |
| 100+： | ￥17.291582 |
| 250+： | ￥16.290546 |
| 500+： | ￥15.688046 |
| 1000+： | ￥15.191771 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥28.94