
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥207.15522 | ¥207.16 |
| 10 | ¥182.540473 | ¥1825.40 |
| 100 | ¥157.871846 | ¥15787.18 |
| 500 | ¥143.071802 | ¥71535.90 |
| 1000 | ¥131.231486 | ¥131231.49 |
制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 33 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 6 V
栅极电荷 51 nC
耗散功率 254.2 W
通道模式 Enhancement
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
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0UF3C120080K3S
型号:UF3C120080K3S
品牌:SiC
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥207.15522 |
| 10+: | ¥182.540473 |
| 100+: | ¥157.871846 |
| 500+: | ¥143.071802 |
| 1000+: | ¥131.231486 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥207.16