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SQJ202EP-T1_GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SQJ202EP-T1_GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO
渠道:
digikey

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规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay / Siliconix

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 12 V

漏极电流 20 A, 60 A

漏源电阻 5.2 mOhms, 2.5 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 22 nC, 54 nC

耗散功率 27 W, 48 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 2.6 ns, 5 ns

正向跨导(Min) 49 S, 91 S

上升时间 3.2 ns, 4.5 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 20 ns, 28 ns

典型接通延迟时间 8.8 ns, 10.7 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

单位重量 506.600 mg

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型号:SQJ202EP-T1_GE3

品牌:SILICONIX

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