STS8DN6LF6AG
库存 ：5000
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥21.133308 | ￥21.13 |
| 10 | ￥17.349303 | ￥173.49 |
| 100 | ￥13.492476 | ￥1349.25 |
| 500 | ￥11.436548 | ￥5718.27 |
| 1000 | ￥9.316219 | ￥9316.22 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STS8DN6LF6AG
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 8A 8SO
包装
Digi-Reel®
Alternate Packaging
系列
Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
零件状态
Active
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A (Ta)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
24mOhm @ 4A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
27nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1340pF @ 25V
功率 - 最大值
3.2W
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装
8-SO
STS8DN6LF6AG 同类别型号
注
STS8DN6LF6AG品牌厂家：ST
，所属分类： 射频晶体管
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数据手册PDF。
STS8DN6LF6AG
型号：STS8DN6LF6AG
品牌：ST
供货：锐单
库存：5000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥21.133308 |
| 10+： | ￥17.349303 |
| 100+： | ￥13.492476 |
| 500+： | ￥11.436548 |
| 1000+： | ￥9.316219 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥21.13