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制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 40 A, 60 A
漏源电阻 5.7 mOhms, 2.8 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V, 1.1 V
栅极电荷 21.5 nC, 51 nC
耗散功率 20.2 W, 40 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 10 ns
正向跨导(Min) 54 S, 52 S
上升时间 10 ns, 15 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns, 25 ns
典型接通延迟时间 15 ns, 20 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 337.318 mg
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0SIZ988DT-T1-GE3
型号:SIZ988DT-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
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