货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥485.738501 | ¥485.74 |
10 | ¥447.990918 | ¥4479.91 |
100 | ¥382.555759 | ¥38255.58 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 900 V
漏极电流 112 A
漏源电阻 28 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 19 V
栅源极阈值电压 4.3 V
栅极电荷 200 nC
耗散功率 477 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
正向跨导(Min) 49 S
上升时间 52 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 58 ns
典型接通延迟时间 39 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4.675 g
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0NTBG020N090SC1
型号:NTBG020N090SC1
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥485.738501 |
10+: | ¥447.990918 |
100+: | ¥382.555759 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥485.74