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1+ : 需询价 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 15 A
漏源电阻 47 mOhms, 47 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 12 nC
耗散功率 34 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 7 ns
正向跨导(Min) 11 S, 11 S
上升时间 6 ns, 6 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns, 12 ns
典型接通延迟时间 6 ns, 6 ns
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.13 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
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0SQJ992EP-T1_GE3
型号:SQJ992EP-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
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