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BSM120D12P2C005

ROHM(罗姆)
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制造商编号:
BSM120D12P2C005
制造商:
ROHM(罗姆)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
渠道:
国内现货
mouser
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 3042.871815 3042.87

规格参数

关键信息

制造商 ROHM Semiconductor

产品 Power Semiconductor Modules

商标 ROHM Semiconductor

技术类参数

栅极电压 - 6 V, 22 V

配置 Half-Bridge

下降时间 60 ns

漏极电流 134 A

通道数量 1 Channel

耗散功率 935 W

上升时间 50 ns

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

典型延迟时间 45 ns

典型关闭延迟时间 170 ns

典型接通延迟时间 45 ns

漏源击穿电压 1200 V

栅源极阈值电压 1.6 V

外形参数

高度 21.1 mm

长度 122 mm

宽度 45.6 mm

物理类型

产品种类 分立半导体模块

类型 SiC Power MOSFET

安装风格 Screw Mount

产品类型 Discrete Semiconductor Modules

单位重量 279.413 g

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型号:BSM120D12P2C005

品牌:ROHM

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

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1+: ¥3042.871815

货期:1-2天

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