货期:(7~10天)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.500327 | ¥1500.98 |
6000 | ¥0.464092 | ¥2784.55 |
9000 | ¥0.384896 | ¥3464.06 |
30000 | ¥0.378047 | ¥11341.41 |
75000 | ¥0.33957 | ¥25467.75 |
150000 | ¥0.294244 | ¥44136.60 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 300 mA
漏源电阻 1.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 390 pC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 17 ns
正向跨导(Min) 1 S
上升时间 3.6 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 38 ns
典型接通延迟时间 5.5 ns
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
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0SSM6N7002KFU,LF
型号:SSM6N7002KFU,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.500327 |
6000+: | ¥0.464092 |
9000+: | ¥0.384896 |
30000+: | ¥0.378047 |
75000+: | ¥0.33957 |
150000+: | ¥0.294244 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00