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UJ3C120070K3S

SiC(碳化硅(SiC)功率半导体制造商)
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制造商编号:
UJ3C120070K3S
制造商:
SiC(碳化硅(SiC)功率半导体制造商)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
1200V 70 MOHM SIC CASCODE, G3, T
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 103.912248 103.91
10 91.524363 915.24
100 79.157231 7915.72
500 71.73595 35867.97
1000 65.799211 65799.21

规格参数

关键信息

制造商 UnitedSiC

商标名 SiC FET

商标 UnitedSiC

技术类参数

技术 SiC

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 1.2 kV

漏极电流 34.5 A

漏源电阻 90 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 6 V

栅极电荷 46 nC

耗散功率 254.2 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 9 ns

上升时间 17 ns

晶体管类型 1 - N Channel

典型关闭延迟时间 58 ns

典型接通延迟时间 38 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

单位重量 6 g

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型号:UJ3C120070K3S

品牌:SiC

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥103.912248
10+: ¥91.524363
100+: ¥79.157231
500+: ¥71.73595
1000+: ¥65.799211

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