货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥103.912248 | ¥103.91 |
10 | ¥91.524363 | ¥915.24 |
100 | ¥79.157231 | ¥7915.72 |
500 | ¥71.73595 | ¥35867.97 |
1000 | ¥65.799211 | ¥65799.21 |
制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 34.5 A
漏源电阻 90 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 6 V
栅极电荷 46 nC
耗散功率 254.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 - N Channel
典型关闭延迟时间 58 ns
典型接通延迟时间 38 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0UJ3C120070K3S
型号:UJ3C120070K3S
品牌:SiC
供货:锐单
单价:
1+: | ¥103.912248 |
10+: | ¥91.524363 |
100+: | ¥79.157231 |
500+: | ¥71.73595 |
1000+: | ¥65.799211 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥103.91