IPG20N06S4L11AATMA1
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IPG20N06S4L11AATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 8TDSON
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：5000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5000 | ￥11.195845 | ￥55979.22 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 15.8 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 53 nC
耗散功率 65 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 19 ns
上升时间 3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 58 ns
典型接通延迟时间 11 ns
外形参数
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPG20N06S4L-11A SP001200162
单位重量 100.420 mg
IPG20N06S4L11AATMA1 同类别型号
注
IPG20N06S4L11AATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、IPG20N06S4L11AATMA1
数据手册PDF
。
IPG20N06S4L11AATMA1
型号：IPG20N06S4L11AATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5000+： | ￥11.195845 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00