SIHG80N60EF-GE3
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- 制造商编号：
- SIHG80N60EF-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET E SERIES 600V TO247AC
- 渠道：
- digikey
库存 ：19
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥210.80665 | ￥210.81 |
| 10 | ￥193.77778 | ￥1937.78 |
| 25 | ￥185.742193 | ￥4643.55 |
| 100 | ￥160.643734 | ￥16064.37 |
| 250 | ￥155.623475 | ￥38905.87 |
| 500 | ￥145.583526 | ￥72791.76 |
| 1000 | ￥133.535104 | ￥133535.10 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 32 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 400 nC
耗散功率 520 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 168 ns
正向跨导（Min） 25 S
上升时间 144 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 272 ns
典型接通延迟时间 59 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
SIHG80N60EF-GE3 同类别型号
注
SIHG80N60EF-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SIHG80N60EF-GE3、查询SIHG80N60EF-GE3代理商；
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替代型号
、SIHG80N60EF-GE3
数据手册PDF。
SIHG80N60EF-GE3
型号：SIHG80N60EF-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：19 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥210.80665 |
| 10+： | ￥193.77778 |
| 25+： | ￥185.742193 |
| 100+： | ￥160.643734 |
| 250+： | ￥155.623475 |
| 500+： | ￥145.583526 |
| 1000+： | ￥133.535104 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥210.81