货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥8.901287 | ¥22253.22 |
5000 | ¥8.571632 | ¥42858.16 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 -
栅极电压 - 5 V, + 5 V
栅源极阈值电压 1 V, 750 mV
栅极电荷 8.4 nC, 20 nC
耗散功率 12 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.3 ns, 4.7 ns
正向跨导(Min) 97 S, 157 S
上升时间 17 ns, 10 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns, 33 ns
典型接通延迟时间 7 ns, 8 ns
开发套件 TPS53819AEVM-123
高度 1.5 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Synchronous Buck MOSFET Driver
单位重量 162 mg
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0CSD87350Q5D
型号:CSD87350Q5D
品牌:TI
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥8.901287 |
5000+: | ¥8.571632 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00