货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥0.616616 | ¥0.62 |
10 | ¥0.569184 | ¥5.69 |
30 | ¥0.559698 | ¥16.79 |
100 | ¥0.531238 | ¥53.12 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 540 mA
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 870 pC
耗散功率 890 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9.04 ns
上升时间 3.81 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 3.95 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 80 mg
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0DMN62D0SFD-7
型号:DMN62D0SFD-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥0.616616 |
10+: | ¥0.569184 |
30+: | ¥0.559698 |
100+: | ¥0.531238 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.62