CSD87350Q5D
库存 ：14073
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥38.545982 | ￥38.55 |
| 10 | ￥34.620002 | ￥346.20 |
| 25 | ￥32.658441 | ￥816.46 |
| 100 | ￥27.825917 | ￥2782.59 |
| 250 | ￥26.127324 | ￥6531.83 |
| 500 | ￥22.86148 | ￥11430.74 |
| 1000 | ￥18.942352 | ￥18942.35 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 -
栅极电压 - 5 V, + 5 V
栅源极阈值电压 1 V, 750 mV
栅极电荷 8.4 nC, 20 nC
耗散功率 12 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.3 ns, 4.7 ns
正向跨导（Min） 97 S, 157 S
上升时间 17 ns, 10 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns, 33 ns
典型接通延迟时间 7 ns, 8 ns
规格参数
开发套件 TPS53819AEVM-123
外形参数
高度 1.5 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Synchronous Buck MOSFET Driver
单位重量 162 mg
CSD87350Q5D 相关产品
CSD87350Q5D 同类别型号
注
CSD87350Q5D品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
，可在锐单商城现货采购CSD87350Q5D、查询CSD87350Q5D代理商；
CSD87350Q5D价格批发咨询客服；这里拥有
CSD87350Q5D中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到CSD87350Q5D
替代型号
、CSD87350Q5D
数据手册PDF
。
CSD87350Q5D
型号：CSD87350Q5D
品牌：TI
供货：锐单
库存：14073 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥38.545982 |
| 10+： | ￥34.620002 |
| 25+： | ￥32.658441 |
| 100+： | ￥27.825917 |
| 250+： | ￥26.127324 |
| 500+： | ￥22.86148 |
| 1000+： | ￥18.942352 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥38.55