QS8J5TR

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 5 A

漏源电阻 28 mOhms, 28 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.5 V

栅极电荷 19 nC

耗散功率 1.5 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 55 ns, 55 ns

上升时间 40 ns, 40 ns

晶体管类型 2 P-Channel

典型关闭延迟时间 90 ns, 90 ns

典型接通延迟时间 9 ns, 9 ns

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 QS8J5

单位重量 10 mg