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制造商 IXYS
商标 IXYS
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 3000 V
饱和电压 2.7 V
栅极/发射极最大电压 25 V
在25 C的连续集电极电流 130 A
耗散功率 625 W
集电极连续电流(Max) 600 A
栅极—射极漏泄电流 200 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 6 g
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0IXBX55N300
型号:IXBX55N300
品牌:IXYS
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