商品描述
MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC
包装
Tube
Alternate Packaging
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
7.8A, 8.9A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
21.8mOhm @ 7.8A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.25V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
6.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
600pF @ 15V
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)