CPH6635-TL-H
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定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 400 mA
漏源电阻 280 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 1.58 nC
耗散功率 800 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 120 ns
正向跨导（Min） 0.22 S
上升时间 65 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 155 ns
典型接通延迟时间 19 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 15 mg
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注
CPH6635-TL-H品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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CPH6635-TL-H
型号：CPH6635-TL-H
品牌：ON
供货：锐单
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