NTJD5121NT1G
库存 ：85422
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.485859 | ￥4.49 |
| 10 | ￥3.052877 | ￥30.53 |
| 100 | ￥1.489056 | ￥148.91 |
| 500 | ￥1.242584 | ￥621.29 |
| 1000 | ￥0.86328 | ￥863.28 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 295 mA
漏源电阻 1.6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 900 pC
耗散功率 250 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 32 ns
上升时间 34 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 22 ns
外形参数
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
NTJD5121NT1G 同类别型号
注
NTJD5121NT1G
型号：NTJD5121NT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：85422 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.485859 |
| 10+： | ￥3.052877 |
| 100+： | ￥1.489056 |
| 500+： | ￥1.242584 |
| 1000+： | ￥0.86328 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.49