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制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 13.5 A, 23.4 A
漏源电阻 6.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 19.1 nC, 42.7 nC
耗散功率 1.9 W, 2.07 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4 ns, 7 ns
上升时间 15 ns, 16 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns, 25 ns
典型接通延迟时间 9 ns, 14 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 161.193 mg
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0NTMFD4901NFT1G
型号:NTMFD4901NFT1G
品牌:ON
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