货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥0.260723 | ¥782.17 |
6000 | ¥0.241859 | ¥1451.15 |
9000 | ¥0.200566 | ¥1805.09 |
30000 | ¥0.197003 | ¥5910.09 |
75000 | ¥0.176969 | ¥13272.67 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 170 mA
漏源电阻 3.9 Ohms, 3.9 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 270 pC
耗散功率 285 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 24 ns, 24 ns
上升时间 3 ns, 3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 7 ns, 7 ns
典型接通延迟时间 2 ns, 2 ns
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
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0SSM6N7002CFU,LF
型号:SSM6N7002CFU,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.260723 |
6000+: | ¥0.241859 |
9000+: | ¥0.200566 |
30000+: | ¥0.197003 |
75000+: | ¥0.176969 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00