货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥266.819258 | ¥266.82 |
10 | ¥246.067966 | ¥2460.68 |
100 | ¥210.129044 | ¥21012.90 |
500 | ¥190.775298 | ¥95387.65 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 12 A
漏源电阻 1.3 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 155 nC
耗散功率 400 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 65 ns
上升时间 55 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 110 ns
典型接通延迟时间 30 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXTH12N100L
型号:IXTH12N100L
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥266.819258 |
10+: | ¥246.067966 |
100+: | ¥210.129044 |
500+: | ¥190.775298 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥266.82