CSD13302W
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- CSD13302W
- 制造商：
- TI(德州仪器)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 12V 1.6A
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.710052 | ￥2130.16 |
| 6000 | ￥0.680591 | ￥4083.55 |
| 9000 | ￥0.612509 | ￥5512.58 |
| 30000 | ￥0.603407 | ￥18102.21 |
| 75000 | ￥0.56712 | ￥42534.00 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 1.6 A
漏源电阻 17.1 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 7.8 nC
耗散功率 1.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
外形参数
高度 0.62 mm
长度 1 mm
宽度 1 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 200 mg
CSD13302W 同类别型号
注
CSD13302W品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、CSD13302W
数据手册PDF
。
CSD13302W
型号：CSD13302W
品牌：TI
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.710052 |
| 6000+： | ￥0.680591 |
| 9000+： | ￥0.612509 |
| 30000+： | ￥0.603407 |
| 75000+： | ￥0.56712 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00