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CSD13302W

TI(德州仪器)
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制造商编号:
CSD13302W
制造商:
TI(德州仪器)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 12V 1.6A
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:3000

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
3000 0.8684 2605.20
6000 0.832368 4994.21
9000 0.749103 6741.93
30000 0.737972 22139.16
75000 0.693592 52019.40

规格参数

关键信息

制造商 Texas Instruments

商标名 NexFET

商标 Texas Instruments

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 12 V

漏极电流 1.6 A

漏源电阻 17.1 mOhms

栅极电压 - 10 V, + 10 V

栅源极阈值电压 700 mV

栅极电荷 7.8 nC

耗散功率 1.8 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

晶体管类型 1 N-Channel

外形参数

高度 0.62 mm

长度 1 mm

宽度 1 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 200 mg

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CSD13302W

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型号:CSD13302W

品牌:TI

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

3000+: ¥0.8684
6000+: ¥0.832368
9000+: ¥0.749103
30000+: ¥0.737972
75000+: ¥0.693592

货期:1-2天

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