货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.8684 | ¥2605.20 |
6000 | ¥0.832368 | ¥4994.21 |
9000 | ¥0.749103 | ¥6741.93 |
30000 | ¥0.737972 | ¥22139.16 |
75000 | ¥0.693592 | ¥52019.40 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 1.6 A
漏源电阻 17.1 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 7.8 nC
耗散功率 1.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 0.62 mm
长度 1 mm
宽度 1 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 200 mg
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0CSD13302W
型号:CSD13302W
品牌:TI
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.8684 |
6000+: | ¥0.832368 |
9000+: | ¥0.749103 |
30000+: | ¥0.737972 |
75000+: | ¥0.693592 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00