NVMFD5485NLT1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥9.608117 | ￥9.61 |
| 200 | ￥3.72059 | ￥744.12 |
| 500 | ￥3.591119 | ￥1795.56 |
| 1000 | ￥3.522977 | ￥3522.98 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 44 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 38.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 187 mg
NVMFD5485NLT1G 同类别型号
注
NVMFD5485NLT1G
型号：NVMFD5485NLT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥9.608117 |
| 200+： | ￥3.72059 |
| 500+： | ￥3.591119 |
| 1000+： | ￥3.522977 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥9.61