SH8M51GZETB
库存 ：2500
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥19.83396 | ￥19.83 |
| 10 | ￥17.765561 | ￥177.66 |
| 25 | ￥16.858865 | ￥421.47 |
| 100 | ￥12.644149 | ￥1264.41 |
| 250 | ￥12.523728 | ￥3130.93 |
| 500 | ￥10.717422 | ￥5358.71 |
| 1000 | ￥8.730484 | ￥8730.48 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 3 A, 2.5 A
漏源电阻 170 mOhms, 290 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 8.5 nC, 12.5 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 14 ns, 19 ns
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns, 75 ns
典型接通延迟时间 13 ns, 15 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SH8M51
单位重量 83 mg
SH8M51GZETB 同类别型号
注
SH8M51GZETB
型号：SH8M51GZETB
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：2500 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥19.83396 |
| 10+： | ￥17.765561 |
| 25+： | ￥16.858865 |
| 100+： | ￥12.644149 |
| 250+： | ￥12.523728 |
| 500+： | ￥10.717422 |
| 1000+： | ￥8.730484 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥19.83