SH8M51GZETB
库存 ：2500
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥17.298433 | ￥17.30 |
| 10 | ￥15.494454 | ￥154.94 |
| 25 | ￥14.703668 | ￥367.59 |
| 100 | ￥11.027752 | ￥1102.78 |
| 250 | ￥10.922725 | ￥2730.68 |
| 500 | ￥9.347332 | ￥4673.67 |
| 1000 | ￥7.6144 | ￥7614.40 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 3 A, 2.5 A
漏源电阻 170 mOhms, 290 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 8.5 nC, 12.5 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 14 ns, 19 ns
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns, 75 ns
典型接通延迟时间 13 ns, 15 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SH8M51
单位重量 83 mg
SH8M51GZETB 同类别型号
注
SH8M51GZETB
型号：SH8M51GZETB
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：2500 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥17.298433 |
| 10+： | ￥15.494454 |
| 25+： | ￥14.703668 |
| 100+： | ￥11.027752 |
| 250+： | ￥10.922725 |
| 500+： | ￥9.347332 |
| 1000+： | ￥7.6144 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥17.30