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数量 | 价格 | 总计 |
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10000 | ¥0.428071 | ¥4280.71 |
30000 | ¥0.420009 | ¥12600.27 |
50000 | ¥0.347812 | ¥17390.60 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.03 A, 700 mA
漏源电阻 300 Ohms, 670 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V, - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 500 mV, 1 V
栅极电荷 500 pC, 850 pC
耗散功率 450 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10.54 ns, 19.2 ns
正向跨导(Min) -
上升时间 7.28 ns, 4.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 13.74 ns, 20.2 ns
典型接通延迟时间 4.06 ns, 8.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0DMC2400UV-13
型号:DMC2400UV-13
品牌:DIODES
供货:锐单
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10000+: | ¥0.428071 |
30000+: | ¥0.420009 |
50000+: | ¥0.347812 |
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