
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥6.361381 | ¥6.36 |
| 10 | ¥4.947741 | ¥49.48 |
| 100 | ¥2.968644 | ¥296.86 |
| 500 | ¥2.7484 | ¥1374.20 |
| 1000 | ¥1.868975 | ¥1868.98 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 1.6 A
漏源电阻 17.1 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 7.8 nC
耗散功率 1.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 0.62 mm
长度 1 mm
宽度 1 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 200 mg
购物车
0CSD13302W
型号:CSD13302W
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥6.361381 |
| 10+: | ¥4.947741 |
| 100+: | ¥2.968644 |
| 500+: | ¥2.7484 |
| 1000+: | ¥1.868975 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.36