货期:国内(1~3工作日)
起订量:240
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
240 | ¥103.921378 | ¥24941.13 |
720 | ¥102.993481 | ¥74155.31 |
2400 | ¥100.209874 | ¥240503.70 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 101 A
漏源电阻 18 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 251 nC
耗散功率 416 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 35 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 220 ns
典型接通延迟时间 80 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPW60R018CFD7 SP001715618
单位重量 6 g
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0IPW60R018CFD7XKSA1
型号:IPW60R018CFD7XKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
240+: | ¥103.921378 |
720+: | ¥102.993481 |
2400+: | ¥100.209874 |
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单价:¥0.00总价:¥0.00