EMH2604-TL-H
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定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4 A, 3 A
漏源电阻 45 mOhms, 85 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 4.7 nC, 4 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
EMH2604-TL-H 同类别型号
注
EMH2604-TL-H品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、EMH2604-TL-H
数据手册PDF。
EMH2604-TL-H
型号：EMH2604-TL-H
品牌：ON
供货：锐单
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