FDMS3660S
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥5.360514 | ￥16081.54 |
| 6000 | ￥5.158982 | ￥30953.89 |
| 9000 | ￥4.98817 | ￥44893.53 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 Power Stage PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 13 A, 30 A
漏源电阻 8 mOhms, 1.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V, - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 29 nC, 87 nC
耗散功率 2.2 W, 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
外形参数
高度 1.1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 171 mg
FDMS3660S 同类别型号
注
FDMS3660S品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、FDMS3660S
数据手册PDF。
FDMS3660S
型号：FDMS3660S
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥5.360514 |
| 6000+： | ￥5.158982 |
| 9000+： | ￥4.98817 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00