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制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 21 A, 15 A
漏源电阻 12 mOhms, 25 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.4 V, 2.4 V
耗散功率 1.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 144 g
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0DMC3016LDV-7
型号:DMC3016LDV-7
品牌:DIODES
供货:锐单
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