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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 4.2 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 53 nC
耗散功率 69.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 130 S
上升时间 32 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 488.500 mg
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0SISF00DN-T1-GE3
型号:SISF00DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
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