VT6M1T2CR
库存 ：66811
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.738276 | ￥4.74 |
| 10 | ￥3.490145 | ￥34.90 |
| 100 | ￥1.978519 | ￥197.85 |
| 500 | ￥1.310538 | ￥655.27 |
| 1000 | ￥1.004747 | ￥1004.75 |
| 2000 | ￥0.873692 | ￥1747.38 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 100 mA
漏源电阻 3.5 Ohms, 3.8 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 38 ns, 137 ns
上升时间 4 ns, 62 ns
晶体管类型 1 N-Channel MOSFET, 1 P-Channel MOSFET
典型关闭延迟时间 20 ns, 325 ns
典型接通延迟时间 5 ns, 46 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 VT6M1
单位重量 13.761 mg
VT6M1T2CR 同类别型号
注
VT6M1T2CR品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、VT6M1T2CR
数据手册PDF。
VT6M1T2CR
型号：VT6M1T2CR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：66811 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.738276 |
| 10+： | ￥3.490145 |
| 100+： | ￥1.978519 |
| 500+： | ￥1.310538 |
| 1000+： | ￥1.004747 |
| 2000+： | ￥0.873692 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.74