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起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥19.113428 | ¥19.11 |
制造商 onsemi
商标名 SuperFET II FRFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 20.6 A
漏源电阻 190 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 60 nC
耗散功率 208 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.2 ns
正向跨导(Min) 18 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 62 ns
典型接通延迟时间 25 ns
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0FCP190N65F
型号:FCP190N65F
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥19.113428 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥19.11