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ES6U1T2R

ROHM(罗姆)
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制造商编号:
ES6U1T2R
制造商:
ROHM(罗姆)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6
渠道:
digikey

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规格参数

属性
参数值

制造商型号

ES6U1T2R

制造商

ROHM(罗姆)

商品描述

MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6

包装

Tape & Reel (TR) Alternate Packaging

系列

-

零件状态

Not For New Designs

FET 类型

P-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss)

12V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

1.3A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

260mOhm @ 1.3A, 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

1V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

2.4nC @ 4.5V

Vgs(最大值)

±10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

290pF @ 6V

FET 功能

Schottky Diode (Isolated)

功率耗散(最大值)

700mW (Ta)

工作温度

150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

供应商器件封装

6-WEMT

封装/外壳

SOT-563, SOT-666

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型号:ES6U1T2R

品牌:ROHM

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