ES6U1T2R
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- ES6U1T2R
- 制造商：
- ROHM(罗姆)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6
- 渠道：
- digikey
库存 ：11900
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.666845 | ￥5.67 |
| 10 | ￥4.887654 | ￥48.88 |
| 25 | ￥4.56181 | ￥114.05 |
| 100 | ￥3.388774 | ￥338.88 |
| 250 | ￥3.219335 | ￥804.83 |
| 500 | ￥2.645851 | ￥1322.93 |
| 1000 | ￥2.150568 | ￥2150.57 |
| 2500 | ￥2.020231 | ￥5050.58 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
ES6U1T2R
制造商
ROHM(罗姆)
商品描述
MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
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零件状态
Not For New Designs
FET 类型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
1.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
260mOhm @ 1.3A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
2.4nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
290pF @ 6V
FET 功能
Schottky Diode (Isolated)
功率耗散（最大值）
700mW (Ta)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
6-WEMT
封装/外壳
SOT-563, SOT-666
ES6U1T2R 同类别型号
注
ES6U1T2R品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、ES6U1T2R
数据手册PDF。
ES6U1T2R
型号：ES6U1T2R
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：11900 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.666845 |
| 10+： | ￥4.887654 |
| 25+： | ￥4.56181 |
| 100+： | ￥3.388774 |
| 250+： | ￥3.219335 |
| 500+： | ￥2.645851 |
| 1000+： | ￥2.150568 |
| 2500+： | ￥2.020231 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥5.67