SH8K37GZETB
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥23.234059 | ￥23.23 |
| 10 | ￥20.726481 | ￥207.26 |
| 100 | ￥16.164673 | ￥1616.47 |
| 500 | ￥13.353918 | ￥6676.96 |
| 1000 | ￥10.542456 | ￥10542.46 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 5.5 A
漏源电阻 46 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 9.7 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.9 ns
上升时间 4.9 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 9.4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 83 mg
SH8K37GZETB 同类别型号
注
SH8K37GZETB
型号：SH8K37GZETB
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥23.234059 |
| 10+： | ￥20.726481 |
| 100+： | ￥16.164673 |
| 500+： | ￥13.353918 |
| 1000+： | ￥10.542456 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥23.23