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SI7212DN-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI7212DN-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8
渠道:
digikey

库存 :2984

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 14.501767 14.50
10 10.584706 105.85
30 9.864658 295.94
100 9.14461 914.46
500 8.827788 4413.89

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 6.8 A

漏源电阻 36 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 600 mV

栅极电荷 11 nC

耗散功率 2.6 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 10 ns

正向跨导(Min) 20 S

上升时间 12 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 30 ns

典型接通延迟时间 10 ns

外形参数

高度 1.04 mm

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI7212DN-GE3

单位重量 1 g

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SI7212DN-T1-GE3

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型号:SI7212DN-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:2984 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥14.501767
10+: ¥10.584706
30+: ¥9.864658
100+: ¥9.14461
500+: ¥8.827788

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