SI7212DN-T1-GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI7212DN-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：2984
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥16.627369 | ￥16.63 |
| 10 | ￥12.136163 | ￥121.36 |
| 30 | ￥11.310574 | ￥339.32 |
| 100 | ￥10.484984 | ￥1048.50 |
| 500 | ￥10.121725 | ￥5060.86 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6.8 A
漏源电阻 36 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 11 nC
耗散功率 2.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns
正向跨导（Min） 20 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 10 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7212DN-GE3
单位重量 1 g
SI7212DN-T1-GE3 同类别型号
注
SI7212DN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
，可在锐单商城现货采购SI7212DN-T1-GE3、查询SI7212DN-T1-GE3代理商；
SI7212DN-T1-GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SI7212DN-T1-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SI7212DN-T1-GE3
替代型号
、SI7212DN-T1-GE3
数据手册PDF。
SI7212DN-T1-GE3
型号：SI7212DN-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：2984 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥16.627369 |
| 10+： | ￥12.136163 |
| 30+： | ￥11.310574 |
| 100+： | ￥10.484984 |
| 500+： | ￥10.121725 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥16.63