货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥14.501767 | ¥14.50 |
10 | ¥10.584706 | ¥105.85 |
30 | ¥9.864658 | ¥295.94 |
100 | ¥9.14461 | ¥914.46 |
500 | ¥8.827788 | ¥4413.89 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6.8 A
漏源电阻 36 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 11 nC
耗散功率 2.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 20 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7212DN-GE3
单位重量 1 g
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0SI7212DN-T1-GE3
型号:SI7212DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥14.501767 |
10+: | ¥10.584706 |
30+: | ¥9.864658 |
100+: | ¥9.14461 |
500+: | ¥8.827788 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥14.50